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Logitech CP3000化學拋光裝置
Logitech CP3000化學拋光裝置能很好的滿足腐蝕拋光溶劑☁✘╃◕✘，同樣也適用於腐蝕性較弱的Chemlox拋光☁✘╃◕✘，如半導體晶片的背拋光☁•。現在的電子器件對於晶片尺寸☁✘╃◕✘，表面平整度│↟•、平行度及厚度控制都有非常苛刻的控制要求☁✘╃◕✘，而CP3000化學拋光機☁✘╃◕✘，特別是跟Logitech的晶片處理系統配合使用作為Z後一個步驟時☁✘╃◕✘，能*達到這些控制標準☁•。
Logitech CP3000化學拋光裝置
· zui少次級表面損傷
· 抗腐材料製成
· zui大樣品尺寸—直徑20cm (8")
· 方便☁✘╃◕✘，遠端面板控制
· 半導體晶片和光晶體的精細腐蝕拋光
介紹
· 精細的半導體晶片及其它電子│↟•、光電晶體的表面拋光都要求zui低的次級表面損傷☁✘╃◕✘，這就需要進行一道zui終 腐蝕拋光工藝☁•。這些工藝中使用的化學劑☁✘╃◕✘，如溴甲醇☁✘╃◕✘，過氧化氫或酸腐蝕劑等☁✘╃◕✘，都有很強的化學腐蝕作用☁✘╃◕✘，這就需要操作的裝置具有防腐蝕的功能並適合這些操作☁✘╃◕✘，而且安全☁•。Logitech CP3000化學拋光裝置能很好的滿足這些腐蝕拋光溶劑☁✘╃◕✘，同樣也適用於腐蝕性較弱的Chemlox拋光☁✘╃◕✘，如半導體晶片的背拋光☁•。現在的電子器件對於晶片尺寸☁✘╃◕✘，如表面平整度│↟•、平行度及厚度控制都有非常苛刻的控制要求☁✘╃◕✘，而CP3000化學拋光機☁✘╃◕✘，特別是跟Logitech的晶片處理系統配合使用作為zui後一個步驟時☁✘╃◕✘，能*達到這些控制標準☁•。
· 結構
Logitech CP3000化學拋光裝置主要由聚丙烯☁✘╃◕✘，PVDF(聚偏氟乙稀)和其它抗腐蝕材料製成☁✘╃◕✘，它被設計可安放在一個通風框內使用☁✘╃◕✘， 這樣給操作者以zui大的方便和安全☁•。 甲板下的冷卻扇☁✘╃◕✘，有互鎖功能☁✘╃◕✘，與機器相結合以防止爆炸氣體或腐蝕氣體的聚集☁✘╃◕✘，並保持一個恆定的操作溫度☁•。為安全起見☁✘╃◕✘，一旦結構內某因素導致空氣流速減少大於50%☁✘╃◕✘，遠端切斷顯示燈亮☁✘╃◕✘，同時機械會自動切斷電源☁✘╃◕✘，拒絕再次啟動☁•。
· 配置
配置☁✘： 機器由一個主驅動單元☁✘╃◕✘，大約410mm(16”)見方☁✘╃◕✘，一個防腐蝕的填料單元☁✘╃◕✘，一個廢料槽和一個遠端控制模組組成☁✘╃◕✘，按需要這個模組可以安放在通風框外☁•。拋光碟下有一個可移除的PVC拖盤☁✘╃◕✘，用以保護主機內部☁✘╃◕✘，並且容易清洗☁•。 標準型機器有一個齒輪驅動裝置☁✘╃◕✘，樣品在行星齒輪內繞著中心齒輪轉動☁•。偏心驅動版本的機型是同防Chemlox化學腐蝕的半月夾手臂一起使用☁✘╃◕✘，這個版本的機器可以帶動樣品進行左右擺臂☁•。同時還帶有一個自動填料裝置☁•。偏心版本也可以接受三個位置的往復擺臂☁•。
· 應用
1│↟•、zui典型的應用是以下材料等在封裝及外延生長前的末級化學腐蝕拋光☁✘：
2│↟•、用於紅外探測和其它器件的碲鋅鎘,銻化銦☁✘╃◕✘，碲鎘汞
3│↟•、薄的或超薄的半導體材料☁✘╃◕✘，如砷化鎵☁✘╃◕✘，磷化銦和多種Ⅲ-Ⅴ族,Ⅱ-Ⅵ族化合物(ASIC’s等)
4│↟•、硫化鎘及類似的光電材料
Chemlox化學拋光也特別適合很多這些材料的背拋光☁•。CP3000能理想的用於所有需要電子/光學級拋光的高標準應用☁✘╃◕✘，提供了晶體zui小應力解決方法☁•。
CP3000化學拋光裝置規格
· 電源: 220V/50Hz
· 重量☁✘：42公斤（帶拋光料桶☁✘╃◕✘，有齒輪板）
· 主單元☁✘：400x435x260mm
· zui大高度☁✘╃◕✘，帶料桶☁✘：660mm
· 拋光碟直徑☁✘：356mm
· zui大樣品尺寸☁✘：1個直徑200mm/(8")☁✘╃◕✘，或三個直徑114mm/(4.5")
· 拋光碟轉速☁✘：5-70轉/分鐘（連續可變）
